Phosphorus doping of silicon by proton induced nuclear reactions

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dc.contributorInteracción de Partículas Cargadas con la Materiaes
dc.contributor.authorAbril, Isabel-
dc.contributor.authorGarcía Molina, Rafael-
dc.contributor.authorErokhin, Konstantin M.-
dc.contributor.authorKalashnikov, Nicolay P.-
dc.contributor.otherUniversidad de Alicante. Departamento de Física Aplicadaes
dc.date.accessioned2012-11-26T10:31:44Z-
dc.date.available2012-11-26T10:31:44Z-
dc.date.issued1995-05-29-
dc.identifier.citationABRIL, Isabel, et al. “Phosphorus doping of silicon by proton induced nuclear reactions”. Applied Physics Letters. Vol. 66, No. 22 (29 May 1995). ISSN 0003-6951, pp. 3036-3038es
dc.identifier.issn0003-6951 (Print)-
dc.identifier.issn1077-3118 (Online)-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10045/25348-
dc.description.abstractWe propose a method to dope silicon with phosphorus by means of the nuclear resonant reaction 30Si(p,γ)31P, which takes place when a natural silicon target is bombarded with a few MeV proton beam. This alternative method considerably reduces the usual target damage produced by the more commonly used direct phosphorus implantation.es
dc.description.sponsorshipPartial support from the Spanish DGICYT (Project Nos. PB92-0341 and PB93-1125). N.P.K. thanks the Spanish DGICYT for financial support (SAB93-0182) during his sabbatical stay in the Universidad de Murcia.es
dc.languageenges
dc.publisherAmerican Institute of Physicses
dc.rightsCopyright © 1995 American Institute of Physicses
dc.subjectPhosphorus dopinges
dc.subjectSilicones
dc.subjectProtones
dc.subjectNuclear resonant reactiones
dc.subject.otherFísica Aplicadaes
dc.titlePhosphorus doping of silicon by proton induced nuclear reactionses
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees
dc.peerreviewedsies
dc.identifier.doi10.1063/1.114269-
dc.relation.publisherversionhttp://dx.doi.org/10.1063/1.114269es
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses
Aparece en las colecciones:INV - IPCM - Artículos de Revistas

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