Role of electronic excitations in the energy loss of H2+ projectiles in high-κ materials

Empreu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem http://hdl.handle.net/10045/25436
Información del item - Informació de l'item - Item information
Títol: Role of electronic excitations in the energy loss of H2+ projectiles in high-κ materials
Autors: Shubeita, S.M. | Fadanelli, Raúl C. | Dias, J.F. | Grande, P.L. | Denton Zanello, Cristian D. | Abril, Isabel | García Molina, Rafael | Arista, Néstor R.
Grups d'investigació o GITE: Interacción de Partículas Cargadas con la Materia
Centre, Departament o Servei: Universidad de Alicante. Departamento de Física Aplicada
Paraules clau: Energy loss | H2+ clusters | Thin films | Electronic excitations
Àrees de coneixement: Física Aplicada
Data de publicació: 18-de novembre-2009
Editor: American Physical Society
Citació bibliogràfica: SHUBEITA, S.M., et al. “Role of electronic excitations in the energy loss of H2+ projectiles in high-κ materials”. Physical Review B. Vol. 80, No. 20 (2009). ISSN 1098-0121, pp. 205316-1/6
Resum: In the present work we report on the energy loss ratio Rn of fast H2+ clusters in thin films (30–50 Å) of LaScO3 and HfO2. The medium energy ion scattering technique was employed covering a broad energy range (40–200 keV/amu). The energy loss ratio data showed no clear evidence of collective excitations in these materials. The experimental results were interpreted in terms of three different theoretical approaches: the dielectric formalism with the Brandt-Reinheimer theory for semiconductor materials; the detailed simulation of the molecular fragments dynamics through the target; and finally the unitary convolution approximation adapted for hydrogen molecules. Only the simulation agrees with the experimental results for both oxides. The unitary convolution approximation works quite well for HfO2 but overestimates slightly the LaScO3 data. The overall results indicate that the energy loss ratio depends critically on the description of the electronic properties of such oxides.
Patrocinadors: This research was supported by Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq), Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul (FAPERGS), the Spanish Ministerio de Educación y Ciencia (Projects No. FIS2006-13309-C02-01 and No. FIS2006-13309-C02-02 and support under the Ramón y Cajal Program).
URI: http://hdl.handle.net/10045/25436
ISSN: 1098-0121 (Print) | 1550-235X (Online)
DOI: 10.1103/PhysRevB.80.205316
Idioma: eng
Tipus: info:eu-repo/semantics/article
Drets: © 2009 The American Physical Society
Revisió científica: si
Versió de l'editor: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.205316
Apareix a la col·lecció: INV - IPCM - Artículos de Revistas

Arxius per aquest ítem:
Arxius per aquest ítem:
Arxiu Descripció Tamany Format  
Thumbnail2009_PhysRevB.80.205316.pdf140,71 kBAdobe PDFObrir Vista prèvia


Tots els documents dipositats a RUA estan protegits per drets d'autors. Alguns drets reservats.