Phosphorus concentration profile in silicon produced by means of the nuclear reaction 30Si(p, γ)31P

Empreu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem http://hdl.handle.net/10045/25367
Información del item - Informació de l'item - Item information
Títol: Phosphorus concentration profile in silicon produced by means of the nuclear reaction 30Si(p, γ)31P
Autors: García Molina, Rafael | Heredia-Avalos, Santiago | Abril, Isabel
Grups d'investigació o GITE: Interacción de Partículas Cargadas con la Materia
Centre, Departament o Servei: Universidad de Alicante. Departamento de Física, Ingeniería de Sistemas y Teoría de la Señal | Universidad de Alicante. Departamento de Física Aplicada
Paraules clau: Proton energy loss | Ion implantation | Nuclear resonant reactions
Àrees de coneixement: Física Aplicada
Data de publicació: d’abril-2000
Editor: Elsevier Science
Citació bibliogràfica: GARCIA MOLINA, Rafael; HEREDIA-AVALOS, Santiago; ABRIL, Isabel. "Phosphorus concentration profile in silicon produced by means of the nuclear reaction 30Si(p, γ)31P". Vacuum. Vol. 57, No. 1 (Apr. 2000). ISSN 0042-207X, pp. 81-85
Resum: A possibility to introduce phosphorus in silicon, different from direct phosphorus ion implantation, is discussed. The method is based on the nuclear reaction 30Si(p, γ)31P that occurs when a silicon sample is bombarded with energetic protons. It is shown that the pattern of the phosphorus concentration profile can be accurately controlled through an appropiate choice of the energetic characteristics of the proton beam.
Patrocinadors: Financial support from the Spanish DGES (Project PB96-1118) and from the Generalitat Valenciana (Project GV99-54-1-01). SHA thanks the Spanish MEC for a research grant.
URI: http://hdl.handle.net/10045/25367
ISSN: 0042-207X (Print) | 1879-2715 (Online)
DOI: 10.1016/S0042-207X(00)00110-X
Idioma: eng
Tipus: info:eu-repo/semantics/article
Revisió científica: si
Versió de l'editor: http://dx.doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00110-X
Apareix a la col·lecció: INV - IPCM - Artículos de Revistas

Arxius per aquest ítem:
Arxius per aquest ítem:
Arxiu Descripció Tamany Format  
Thumbnail2000vacuum57(2000)81doping PinSi.pdfVersión final (acceso restringido)95,33 kBAdobe PDFObrir     Sol·licitar una còpia


Tots els documents dipositats a RUA estan protegits per drets d'autors. Alguns drets reservats.